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SQJ872EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJ872EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ872EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ872EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ872EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 150 V 24,5 A (Tc) 55W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ872EP-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1045 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 150 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 35,5mohm a 10A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA |
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In magazzino: 5’106
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.67000 | Fr. 1.67 |
| 10 | Fr. 1.06600 | Fr. 10.66 |
| 100 | Fr. 0.72000 | Fr. 72.00 |
| 500 | Fr. 0.57180 | Fr. 285.90 |
| 1’000 | Fr. 0.52415 | Fr. 524.15 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.46368 | Fr. 1’391.04 |
| 6’000 | Fr. 0.43325 | Fr. 2’599.50 |
| 9’000 | Fr. 0.41776 | Fr. 3’759.84 |
| 15’000 | Fr. 0.41005 | Fr. 6’150.75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.67000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.80527 |
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