
SQM10250E_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQM10250E_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQM10250E_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQM10250E_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQM10250E_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 250V 65A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 250 V 65 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 250 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 30mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 75 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4050 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.90000 | Fr. 2.90 |
| 10 | Fr. 2.17000 | Fr. 21.70 |
| 100 | Fr. 1.55570 | Fr. 155.57 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 1.21548 | Fr. 972.38 |
| 1’600 | Fr. 1.16816 | Fr. 1’869.06 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.90000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.13490 |










