
SQJ974EP-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQJ974EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ974EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ974EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ974EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 30 A (Tc) 48W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ974EP-T1_GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 30 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 25,5mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 30nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1050pF a 25V | |
Potenza - Max | 48W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.27000 | Fr. 1.27 |
10 | Fr. 0.93800 | Fr. 9.38 |
100 | Fr. 0.67210 | Fr. 67.21 |
500 | Fr. 0.53318 | Fr. 266.59 |
1’000 | Fr. 0.49768 | Fr. 497.68 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.43180 | Fr. 1’295.40 |
6’000 | Fr. 0.42258 | Fr. 2’535.48 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.27000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.37287 |