
E4M0015075J2-TR | |
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Codice DigiKey | 1697-E4M0015075J2-TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1697-E4M0015075J2-TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1697-E4M0015075J2-TRDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | E4M0015075J2-TR |
Descrizione | MOSFETS 5128 PF 554W 3.8V 180 NC |
Tempi di consegna standard del produttore | 77 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 750 V 156 A (Tc) 554W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | E4M0015075J2-TR Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 750 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 21mohm a 55,8A, 15V | |
Vgs(th) max a Id | 3,8V a 15,4mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 180 nC @ 15 V | |
Vgs (max) | +19V, -8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5128 pF @ 500 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 554W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263-7 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 27.46000 | Fr. 27.46 |
| 10 | Fr. 20.60000 | Fr. 206.00 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 16.83000 | Fr. 13’464.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 27.46000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 29.68426 |




