FET, MOSFET singoli

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tecnologia	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Vgs (max)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Funzione FET	Dissipazione di potenza (max)	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore del fornitore	Contenitore/involucro
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	220’188 In magazzino	1 : Fr. 0.10000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.01795 Nastrato in bobina (TR)	U-MOSVII-H	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	504’205 In magazzino	1 : Fr. 0.11000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.02040 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohm a 50mA, 5V	2,5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Infineon Technologies	161’677 In magazzino	1 : Fr. 0.11000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.03264 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	100 V	190mA (Ta)	4,5V, 10V	6ohm a 190mA, 10V	1,8V a 13µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	20.9 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN53D0LW-7 MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Diodes Incorporated	132’366 In magazzino	1 : Fr. 0.11000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.02938 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	50 V	360mA (Ta)	5V, 10V	2ohm a 270mA, 10V	1,5V a 100µA	1.2 nC @ 10 V	±20V	45.8 pF @ 25 V	-	320mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMG2305UX-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	72’834 In magazzino	1 : Fr. 0.11000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.03948 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	4,2 A (Ta)	1,8V, 4,5V	52mohm a 4,2A, 4,5V	900mV a 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	±8V	808 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	934’228 In magazzino	1 : Fr. 0.12000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.02366 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5ohm a 220mA, 10V	1,5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	451’120 In magazzino	1 : Fr. 0.12000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.01795 Nastrato in bobina (TR)	U-MOSVII-H	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTR4003NT3G MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 onsemi	103’743 In magazzino	1 : Fr. 0.12000 Nastro pre-tagliato (CT) 10’000 : Fr. 0.03346 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	500mA (Ta)	2,5V, 4V	1,5ohm a 10mA, 4V	1,4V a 250µA	1.15 nC @ 5 V	±20V	21 pF @ 5 V	-	690mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	169’645 In magazzino 120’000 Fabbrica	1 : Fr. 0.13000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.04536 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohm a 100mA, 5V	2V a 250µA	-	±20V	30 pF @ 5 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM6K217FE,LF MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	21’923 In magazzino	1 : Fr. 0.13000 Nastro pre-tagliato (CT) 4’000 : Fr. 0.06773 Nastrato in bobina (TR)	U-MOSVII-H	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	40 V	1,8 A (Ta)	1,8V, 8V	195mohm a 1A, 8V	1,2V a 1mA	1.1 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	ES6	SOT-563, SOT-666
2N7002K-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Diodes Incorporated	315’421 In magazzino	1 : Fr. 0.14000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.02448 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	380mA (Ta)	5V, 10V	2ohm a 500mA, 10V	2,5V a 1mA	0.3 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	215’390 In magazzino	1 : Fr. 0.14000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.02566 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	190mA (Ta), 300mA (Tc)	5V, 10V	4,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	20 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	76’277 In magazzino	1 : Fr. 0.14000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06386 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	4,3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	45mohm a 4A, 4,5V	1V a 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Infineon Technologies	433’346 In magazzino	1 : Fr. 0.14000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.03264 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	1,4 A (Ta)	4,5V, 10V	160mohm a 1,4A, 10V	2V a 3,7µA	0.6 nC @ 5 V	±20V	94 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	140’949 In magazzino 30’000 Fabbrica	1 : Fr. 0.14000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.02530 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5ohm a 240mA, 10V	2,5V a 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	128’934 In magazzino 11’784’000 Fabbrica	1 : Fr. 0.14000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.03024 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohm a 100mA, 5V	2V a 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-TP MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	93’363 In magazzino	1 : Fr. 0.14000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.02774 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	50 V	220mA (Tj)	4,5V, 10V	3,5ohm a 220mA, 10V	1,5V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138W-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Diodes Incorporated	109’470 In magazzino	1 : Fr. 0.15000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.02774 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5ohm a 220mA, 10V	1,5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMG2302UKQ-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3 Diodes Incorporated	16’232 In magazzino	1 : Fr. 0.15000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.11368 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	2,8 A (Ta)	2,5V, 4,5V	90mohm a 3,6A, 4,5V	1V a 250µA	2.8 nC @ 10 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	660mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	346’905 In magazzino	1 : Fr. 0.16000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.02203 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2ohm a 100mA, 2,5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
DMN6140L-7 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 Diodes Incorporated	28’737 In magazzino	1 : Fr. 0.16000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05059 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	1,6 A (Ta)	4,5V, 10V	140mohm a 1,8A, 10V	3V a 250µA	8.6 nC @ 10 V	±20V	315 pF @ 40 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2302UK-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Diodes Incorporated	16’832 In magazzino	1 : Fr. 0.16000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.03835 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	2,8 A (Ta)	2,5V, 4,5V	90mohm a 3,6A, 4,5V	1V a 250µA	2.8 nC @ 10 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	660mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTA7002NT1G MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 onsemi	143’809 In magazzino	1 : Fr. 0.17000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.03427 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	154mA (Tj)	2,5V, 4,5V	7ohm a 154mA, 4,5V	1,5V a 100µA	-	±10V	20 pF @ 5 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	SC-75, SOT-416
ZXM61N03FTA MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Diodes Incorporated	69’804 In magazzino	1 : Fr. 0.17000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.12240 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	1,4 A (Ta)	4,5V, 10V	220mohm a 910mA, 10V	1V a 250µA	4.1 nC @ 10 V	±20V	150 pF @ 25 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	50’791 In magazzino	1 : Fr. 0.17000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.02520 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	460mA (Ta)	1,8V, 4,5V	700mohm a 350mA, 4,5V	1V a 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	±6V	59.76 pF @ 16 V	-	270mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-523	SOT-523

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FET singolo, MOSFET

I transistor a effetto di campo (FET) singolo e i transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) sono tipi di transistor utilizzati per amplificare o commutare segnali elettronici.

Un singolo FET funziona controllando il flusso di corrente elettrica tra i terminali sorgente e drain attraverso un campo elettrico generato da una tensione applicata al terminale di gate. Il vantaggio principale dei FET è l'elevata impedenza di ingresso, che li rende ideali per l'impiego nell'amplificazione dei segnali e nei circuiti analogici. Sono ampiamente utilizzati in applicazioni quali amplificatori, oscillatori e stadi buffer nei circuiti elettronici.

I MOSFET, un sottotipo di FET, hanno un terminale di gate isolato dal canale da un sottile strato di ossido, che ne migliora le prestazioni e li rende altamente efficienti. I MOSFET possono essere ulteriormente classificati in due tipi:

MOSFET a canale N: dove gli elettroni fungono da portatori primari.
MOSFET a canale P: dove i fori fungono da portatori primari.

I MOSFET sono l'opzione preferita in molte applicazioni per il loro basso consumo energetico, l'alta velocità di commutazione e la capacità di gestire correnti e tensioni elevate. Sono fondamentali nei circuiti digitali e analogici, compresi gli alimentatori, i driver per motori e le applicazioni a radiofrequenza.

Il funzionamento dei MOSFET può essere suddiviso in due modalità:

Modalità potenziata: in questa modalità, il MOSFET è normalmente spento quando la tensione di gate-source è pari a zero. Per accendersi richiede una tensione di gate-source positiva (per il canale N) o una tensione di gate-source negativa (per il canale P).
Modalità depletion: in questa modalità, il MOSFET è normalmente acceso quando la tensione di gate-source è pari a zero. L'applicazione di una tensione di gate-source di polarità opposta può spegnerlo.

I MOSFET offrono diversi vantaggi, quali:

Alta efficienza: consumano pochissima energia e possono commutare rapidamente gli stati, il che li rende altamente efficienti per le applicazioni di gestione dell'alimentazione.
Bassa resistenza nello stato On: hanno una bassa resistenza all'accensione, che riduce al minimo la perdita di potenza e la generazione di calore.
Elevata impedenza di ingresso: la struttura a gate isolati determina un'impedenza di ingresso estremamente elevata, rendendoli ideali per l'amplificazione di segnali ad alta impedenza.

In sintesi, i FET singoli, in particolare i MOSFET, sono componenti fondamentali dell'elettronica moderna, noti per la loro efficienza, velocità e versatilità in un'ampia gamma di applicazioni, dall'amplificazione dei segnali a bassa potenza alla commutazione e al controllo ad alta potenza.

FET singolo, MOSFET

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