VideoLibrary

Silicon Carbide (SiC) Business

SiC provides a number of benefits over silicon, including faster switching performance, higher voltage capability, and lower ON resistance.

2/6/2023 8:40:46 PM

Part List

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247SCS230KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-2472 - Immediatamente$17.51Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE61 - Immediatamente$250.53Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE13 - Immediatamente$442.72Vedi i dettagli
DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSCS212AGC17DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP930 - Immediatamente$5.26Vedi i dettagli
DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSCS302AHGC9DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACP1234 - Immediatamente$2.33Vedi i dettagli
DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSCS205KGC17DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFP992 - Immediatamente$5.16Vedi i dettagli
DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSCS210KGC17DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFP264 - Immediatamente$7.39Vedi i dettagli
DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSCS220KGC17DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFP390 - Immediatamente$11.50Vedi i dettagli
DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247NSCS230AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N545 - Immediatamente$12.04Vedi i dettagli
DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247NSCS220KE2HRC11DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N0 - Immediatamente$7.34Vedi i dettagli
DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247SCS210KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247450 - Immediatamente$9.39Vedi i dettagli
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247NSCS240AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247N450 - Immediatamente$11.84Vedi i dettagli
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2GC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N27 - Immediatamente$7.99Vedi i dettagli
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N199 - Immediatamente$8.83Vedi i dettagli
DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247NSCS240KE2GC11DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247N150 - Immediatamente$19.30Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE16 - Immediatamente$588.36Vedi i dettagli
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSCS208AGC17DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFP780 - Immediatamente$4.71Vedi i dettagli
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSCS310AHGC9DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULE7 - Immediatamente$280.60Vedi i dettagli
DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACPSCS304AHGC9DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACP52 - Immediatamente$3.06Vedi i dettagli

Related Videos

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

Data di pubblicazione: 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Data di pubblicazione: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Data di pubblicazione: 2023-02-06

Related Product Highlight

MOSFET SiC al carburo di silicio di 4ª generazione I MOSFET al carburo di silicio di 4ª generazione di ROHM sono progettati per offrire efficienza e prestazioni senza precedenti nelle applicazioni più esigenti.
MOSFET SiC di 4ª generazione I MOSFET SiC di 4ª generazione di ROHM sono caratterizzati da una bassa perdita di commutazione e dal supporto per una tensione di gate-source di 15 V che contribuisce al risparmio energetico del dispositivo.
Chip DAC BD3430 - Serie MUS-ICT™ La serie MUS-ICT di ROHM contiene il chip DAC BD3430, un CI audio di alto grado.

Related Articles and Blogs

Come ridurre le perdite, migliorare l'efficienza ed estendere l'intervallo di temperatura nelle applicazioni ad alta potenza I progettisti possono utilizzare i MOSFET SiC di 4ª generazione per migliorare notevolmente l'efficienza, abbassare il costo e ridurre le dimensioni dei circuiti di controllo ad alta tensione e ad alta potenza.
I semiconduttori ad ampio bandgap stanno ridefinendo il settore dei trasporti L'intero settore dei trasporti sta subendo una trasformazione radicale con soluzioni per auto elettriche e ibride e trasporti di massa meno inquinanti.
Semiconduttori ad ampio bandgap per applicazioni aerospaziali e satellitari I semiconduttori ad ampio bandgap offrono diversi vantaggi nella conversione di potenza, come l'aumento della densità di potenza e dell'efficienza e la riduzione delle dimensioni e del peso del sistema.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.