VideoLibrary

Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

SiliconCarbide (SiC) technology provides higher efficiencies and superior thermal performance, resulting in lighter, smaller, and cost-optimized charging systems that deliver 400 kilowatts and beyond.

5/21/2024 7:02:19 PM

Part List

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PNGMOSFET 2N-CH 1200V 114A29 - Sofort$101.25Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIMNXH003P120M3F2PTHGMOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM49 - Sofort
300 - Lagerbestand des Herstellers		$166.07Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIMNXH004P120M3F2PTHGMOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM20 - Sofort
860 - Lagerbestand des Herstellers		$142.53Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIMNXH003P120M3F2PTNGMOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM0 - Sofort
20 - Lagerbestand des Herstellers		$178.57Details anzeigen
MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIMNXH011T120M3F2PTHGMOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM14 - Sofort
14560 - Lagerbestand des Herstellers		$90.41Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 900V 149ANXH020U90MNF2PTGMOSFET 2N-CH 900V 149A1 - Sofort$132.53Details anzeigen
MOSFET 6N-CH 900V 510A SSDC39NVXR22S90M2SPCMOSFET 6N-CH 900V 510A SSDC397 - Sofort$1,019.04Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 30ANXH040P120MNF1PTGMOSFET 2N-CH 1200V 30A28 - Sofort
84 - Lagerbestand des Herstellers		$58.32Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 30ANXH040P120MNF1PGMOSFET 2N-CH 1200V 30A26 - Sofort
56 - Lagerbestand des Herstellers		$58.32Details anzeigen
MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIMNXH040F120MNF1PTGMOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM25 - Sofort
28 - Lagerbestand des Herstellers		$73.99Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 51ANXH020P120MNF1PGMOSFET 2N-CH 1200V 51A28 - Sofort
112 - Lagerbestand des Herstellers		$97.75Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 51ANXH020P120MNF1PTGMOSFET 2N-CH 1200V 51A28 - Sofort$97.75Details anzeigen
MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIMNXH040F120MNF1PGMOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM28 - Sofort
56 - Lagerbestand des Herstellers		$72.87Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 900V 154ANXH010P90MNF1PGMOSFET 2N-CH 900V 154A28 - Sofort
28 - Lagerbestand des Herstellers		$88.61Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PGMOSFET 2N-CH 1200V 114A28 - Sofort
56 - Lagerbestand des Herstellers		$100.29Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PTGMOSFET 2N-CH 1200V 114A28 - Sofort
168 - Lagerbestand des Herstellers		$100.29Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PTNGMOSFET 2N-CH 1200V 114A25 - Sofort
1148 - Lagerbestand des Herstellers		$96.23Details anzeigen
MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIMNXH020F120MNF1PGMOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM27 - Sofort
28 - Lagerbestand des Herstellers		$103.91Details anzeigen
MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIMNXH020F120MNF1PTGMOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM28 - Sofort
2632 - Lagerbestand des Herstellers		$125.12Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 900V 154ANXH010P90MNF1PTGMOSFET 2N-CH 900V 154A28 - Sofort
112 - Lagerbestand des Herstellers		$108.86Details anzeigen

Related Articles and Blogs

Halbleiter mit großer Bandlücke in Luft- und Raumfahrt- sowie Satellitenanwendungen Halbleiter mit großer Bandlücke bieten mehrere Vorteile bei der Leistungswandlung, z. B. eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowie eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts.