Mentalità lungimirante che alimenta l'evoluzione delle infrastrutture energetiche - onsemi

MOSFET EliteSiC a 650 V

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono altissima efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

MOSFET EliteSiC a 900 V

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono altissima efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

MOSFET EliteSiC a 1200 V

La nuova famiglia di MOSFET EliteSiC planari M3S da 1200 V è ottimizzata per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con un comando di tensione di gate negativo e disattiva gli impulsi a breve sul gate. Questa famiglia offre prestazioni ottimali se comandata con un pilotaggio del gate da 18 V, ma funziona bene anche a 15 V.

Diodi EliteSiC a 650 V

I diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche fanno del carburo di silicio la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, una frequenza operativa più alta, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

Diodi EliteSiC a 1200 V

I MOSFET EliteSiC a 1200 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. La bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. I vantaggi del sistema includono un'elevata efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Diodi EliteSiC a 1700 V

I diodi Schottky EliteSiC a 1700 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche fanno di EliteSiC la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, alta frequenza operativa, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

Driver EliteSiC

Il driver singolo ad alta velocità a 6 A low-side NCx51705 di onsemi è progettato principalmente per pilotare transistor MOSFET EliteSiC. Per ottenere le perdite di conduzione più basse possibili, il driver può fornire la massima tensione di gate consentita al dispositivo MOSFET EliteSiC. Fornendo una corrente di picco elevata durante l'accensione e lo spegnimento, anche le perdite di commutazione sono ridotte al minimo. Per una maggiore affidabilità, immunità dv/dt e uno spegnimento ancora più rapido, NCx51705 può utilizzare la sua pompa di carica su scheda per generare un rail di tensione negativa selezionabile dall'utente. Per applicazioni isolate, NCx51705 fornisce anche un rail a 5 V accessibile esternamente per alimentare il lato secondario di optoisolatori digitali o ad alta velocità.

Gate driver ad alta corrente isolati

Il portafoglio di gate driver di onsemi include driver GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET a ponte H e MOSFET EliteSiC invertenti e non invertenti ideali per applicazioni di commutazione.

Moduli di alimentazione e moduli ibridi EliteSiC

Caratteristiche

1. Ottimizzati per prestazioni superiori
2. Resistenza termica inferiore rispetto ai dispositivi discreti
3. Contenitori facili da montare per adattarsi alle piedinature standard del settore

IGBT

Gli IGBT di onsemi offrono prestazioni ottimali bilanciando VCE(sat) e le perdite Eoff e la sovraelongazione Vce di spegnimento controllabile. Offrono inoltre affidabilità e prestazioni massime grazie al coefficiente di temperatura positivo, alla bassa tensione di saturazione (VCE(sat)), alle perdite di commutazione e conduzione molto basse e alla commutazione rapida. Sono adatti per applicazioni di conversione di potenza ad alte prestazioni e sono progettati e qualificati per applicazioni automotive e industriali.

Gate driver con isolamento galvanico

Il portafoglio di gate driver di onsemi include driver GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET a ponte H e MOSFET EliteSiC invertenti e non invertenti ideali per applicazioni di commutazione.

Amplificatori per rilevamento di corrente

Gli amplificatori per rilevamento di corrente forniscono informazioni critiche che possono aiutare nelle funzioni di sicurezza e diagnostiche di un sistema monitorando il consumo di corrente. Integrano resistori esterni per assicurare maggiore precisione e ingombro più compatto, per supportare amplificatori operazionali autonomi.

Amplificatori operazionali: rilevamento di tensione e corrente

Gli amplificatori CMOS offrono funzionamento rail-to-rail, che garantisce una gamma dinamica più ampia. I requisiti di sistema variabili e un intervallo da 270 kHz a 10 MHz offrono ai progettisti di sistemi flessibilità nella scelta dell'amplificatore. Sono inoltre disponibili in diversi contenitori salvaspazio, soddisfacendo così sia i vincoli di potenza che quelli di spazio dei moderni progetti di sistemi.

Regolatori di tensione (LDO)

I regolatori lineari (LDO) forniscono una soluzione ottimale per requisiti di progettazione a bassa potenza, con vincoli di spazio e a basso rumore. La semplicità del design e i pochi componenti esterni rendono questi dispositivi facilmente integrabili nel prodotto finale. Questo ampio portafoglio offre PSRR elevata, basso rumore, bassa corrente di quiescenza (Iq), bassa caduta di tensione e ampio intervallo di tensione di ingresso. In qualità di azienda leader di mercato, forniamo componenti che offrono le migliori prestazioni del settore con una progettazione robusta e una produzione di alta qualità. Le opzioni del contenitore includono le dimensioni più piccole del settore fino a contenitori più grandi, fornendo una soluzione ideale per applicazioni automotive, industriali e consumer.

Regolatori/convertitori c.a./c.c., c.c./c.c.

onsemi ha un portafoglio completo di controller e regolatori c.a./c.c. e c.c./c.c. offline e controller del fattore di potenza e del lato secondario che consentono alta efficienza in modalità attiva, basso consumo in modalità standby e correzione del fattore di potenza.

MOSFET EliteSiC a 650 V

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono altissima efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

MOSFET EliteSiC a 900 V

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono altissima efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

MOSFET EliteSiC a 1200 V

La nuova famiglia di MOSFET EliteSiC planari M3S da 1200 V è ottimizzata per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con un comando di tensione di gate negativo e disattiva gli impulsi a breve sul gate. Questa famiglia offre prestazioni ottimali se comandata con un pilotaggio del gate da 18 V, ma funziona bene anche a 15 V.

Diodi EliteSiC a 650 V

I diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche fanno del carburo di silicio la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, una frequenza operativa più alta, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

Diodi EliteSiC a 1200 V

I MOSFET EliteSiC a 1200 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. La bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. I vantaggi del sistema includono un'elevata efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Diodi EliteSiC a 1700 V

I diodi Schottky EliteSiC a 1700 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche fanno di EliteSiC la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, alta frequenza operativa, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

Driver EliteSiC

Il driver singolo ad alta velocità a 6 A low-side NCx51705 di onsemi è progettato principalmente per pilotare transistor MOSFET EliteSiC. Per ottenere le perdite di conduzione più basse possibili, il driver può fornire la massima tensione di gate consentita al dispositivo MOSFET EliteSiC. Fornendo una corrente di picco elevata durante l'accensione e lo spegnimento, anche le perdite di commutazione sono ridotte al minimo. Per una maggiore affidabilità, immunità dv/dt e uno spegnimento ancora più rapido, NCx51705 può utilizzare la sua pompa di carica su scheda per generare un rail di tensione negativa selezionabile dall'utente. Per applicazioni isolate, NCx51705 fornisce anche un rail a 5 V accessibile esternamente per alimentare il lato secondario di optoisolatori digitali o ad alta velocità.

Gate driver ad alta corrente isolati

Il portafoglio di gate driver di onsemi include driver GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET a ponte H e MOSFET EliteSiC invertenti e non invertenti ideali per applicazioni di commutazione.

Moduli di alimentazione e moduli ibridi EliteSiC

IGBT FS4 a 650 V

Gli IGBT di onsemi offrono prestazioni ottimali bilanciando VCE(sat) e le perdite Eoff e la sovraelongazione Vce di spegnimento controllabile. Offrono inoltre affidabilità e prestazioni massime grazie al coefficiente di temperatura positivo, alla bassa tensione di saturazione (VCE(sat)), alle perdite di commutazione e conduzione molto basse e alla commutazione rapida. Sono adatti per applicazioni di conversione di potenza ad alte prestazioni e sono progettati e qualificati per applicazioni automotive e industriali.

Gate driver con isolamento galvanico

Il portafoglio di gate driver di onsemi include driver GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET a ponte H e MOSFET EliteSiC invertenti e non invertenti ideali per applicazioni di commutazione.

Regolatori/convertitori c.a./c.c., c.c./c.c.

onsemi ha un portafoglio completo di controller e regolatori c.a./c.c. e c.c./c.c. offline e controller del fattore di potenza e del lato secondario che consentono alta efficienza in modalità attiva, basso consumo in modalità standby e correzione del fattore di potenza.

CAN

I transceiver cablati di onsemi sono ideali per soluzioni di rete per veicoli, reti industriali, sistemi elettronici per porte decentralizzati, unità di controllo scocca (BCU), automazione domestica, degli edifici e dei processi, monitoraggio ambientale e applicazioni di energia intelligente. Il portafoglio comprende anche opzioni qualificate AEC-Q101 e con supporto PPAP progettate e qualificate specificamente per applicazioni nel settore automotive.

BLE

Abilitato con la connettività wireless Bluetooth® Low Energy, RSL15 risponde alla crescente domanda di sicurezza delle applicazioni industriali connesse senza sacrificare il consumo energetico.

Controller di gestione termica

MOSFET EliteSiC a 650 V

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono altissima efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

MOSFET EliteSiC a 900 V

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono altissima efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

MOSFET EliteSiC a 1200 V

La nuova famiglia di MOSFET EliteSiC planari M3S da 1200 V è ottimizzata per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con un comando di tensione di gate negativo e disattiva gli impulsi a breve sul gate. Questa famiglia offre prestazioni ottimali se comandata con un pilotaggio del gate da 18 V, ma funziona bene anche a 15 V.

Diodi EliteSiC a 650 V

I diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche fanno del carburo di silicio la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, una frequenza operativa più alta, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

Diodi EliteSiC a 1200 V

I MOSFET EliteSiC a 1200 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. La bassa resistenza nello stato On e le dimensioni compatte del chip garantiscono una capacità e una carica del gate basse. I vantaggi del sistema includono un'elevata efficienza, una frequenza operativa più rapida, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Diodi EliteSiC a 1700 V

I diodi Schottky EliteSiC a 1700 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche fanno di EliteSiC la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, alta frequenza operativa, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

Driver EliteSiC

Il driver singolo ad alta velocità a 6 A low-side NCx51705 di onsemi è progettato principalmente per pilotare transistor MOSFET EliteSiC. Per ottenere le perdite di conduzione più basse possibili, il driver può fornire la massima tensione di gate consentita al dispositivo MOSFET EliteSiC. Fornendo una corrente di picco elevata durante l'accensione e lo spegnimento, anche le perdite di commutazione sono ridotte al minimo. Per una maggiore affidabilità, immunità dv/dt e uno spegnimento ancora più rapido, NCx51705 può utilizzare la sua pompa di carica su scheda per generare un rail di tensione negativa selezionabile dall'utente. Per applicazioni isolate, NCx51705 fornisce anche un rail a 5 V accessibile esternamente per alimentare il lato secondario di optoisolatori digitali o ad alta velocità.

Gate driver ad alta corrente isolati

Il portafoglio di gate driver di onsemi include driver GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET a ponte H e MOSFET EliteSiC invertenti e non invertenti ideali per applicazioni di commutazione.

Moduli di alimentazione e moduli ibridi EliteSiC

CAN

I transceiver cablati di onsemi sono ideali per soluzioni di rete per veicoli, reti industriali, sistemi elettronici per porte decentralizzati, unità di controllo scocca (BCU), automazione domestica, degli edifici e dei processi, monitoraggio ambientale e applicazioni di energia intelligente. Il portafoglio comprende anche opzioni qualificate AEC-Q101 e con supporto PPAP progettate e qualificate specificamente per applicazioni nel settore automotive.

BLE

Abilitato con la connettività wireless Bluetooth® Low Energy, RSL15 risponde alla crescente domanda di sicurezza delle applicazioni industriali connesse senza sacrificare il consumo energetico.

Gate driver con isolamento galvanico

Il portafoglio di gate driver di onsemi include driver GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET a ponte H e MOSFET EliteSiC invertenti e non invertenti ideali per applicazioni di commutazione.

Isolatori digitali

Gli isolatori digitali di onsemi utilizzano un segnale modulato ad alta frequenza per trasmettere dati digitali ad alta velocità attraverso una barriera di isolamento capacitivo. Il segnale viene quindi demodulato sull'altro lato della barriera, creando un transceiver dati isolato ad alta tensione. Utilizzando la tecnologia digitale (es. codifica/decodifica Manchester, tracking parametri digitali), l'isolatore digitale è in grado di mantenere prestazioni costanti in un ampio intervallo di temperature e per l'intera vita operativa del componente.

Regolatori c.a./c.c. - c.c./c.c.

onsemi ha un portafoglio completo di controller e regolatori c.a./c.c. e c.c./c.c. offline e controller del fattore di potenza e del lato secondario che consentono alta efficienza in modalità attiva, basso consumo in modalità standby e correzione del fattore di potenza.

1. Controller a commutazione offline, inclusi i controller PWM flyback e forward a frequenza fissa e i controller in modalità di corrente e in modalità di tensione.
2. Regolatori a commutazione offline, inclusi i dispositivi in modalità di corrente, in modalità di tensione e oscillatori con gate.
3. Controller variabili del fattore di potenza CRM, CCM e DCM che consentono la correzione del fattore di potenza.
4. Controller di raddrizzamento sincrono sul lato secondario.
5. Controller c.c./c.c. in modalità di corrente e in modalità di tensione per circuiti di conversione di potenza c.c./c.c..

Controller c.a./c.c. - c.c./c.c.

onsemi ha un portafoglio completo di controller e regolatori c.a./c.c. e c.c./c.c. offline e controller del fattore di potenza e del lato secondario che consentono alta efficienza in modalità attiva, basso consumo in modalità standby e correzione del fattore di potenza.

1. Controller a commutazione offline, inclusi i controller PWM flyback e forward a frequenza fissa e i controller in modalità di corrente e in modalità di tensione.
2. Regolatori a commutazione offline, inclusi i dispositivi in modalità di corrente, in modalità di tensione e oscillatori con gate.
3. Controller variabili del fattore di potenza CRM, CCM e DCM che consentono la correzione del fattore di potenza.
4. Controller di raddrizzamento sincrono sul lato secondario.
5. Controller c.c./c.c. in modalità di corrente e in modalità di tensione per circuiti di conversione di potenza c.c./c.c..

Convertitori c.c./c.c.