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AOB1100L

Codice DigiKey
785-1319-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AOB1100L
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 8 A (Ta), 130 A (Tc) 2,1W (Ta), 500W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
11,7mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,8V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4833 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,1W (Ta), 500W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Obsoleto
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