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AOB1100L è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
AOB1100L | |
|---|---|
Codice DigiKey | 785-1319-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AOB1100L |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 8 A (Ta), 130 A (Tc) 2,1W (Ta), 500W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,8V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 100 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4833 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 500W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 11,7mohm a 20A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (13)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK7613-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 5’681 | 1727-1087-1-ND | Fr. 2.57000 | Simile |
| FDB120N10 | onsemi | 34 | FDB120N10CT-ND | Fr. 2.50000 | Simile |
| HUF75645S3ST | onsemi | 8’210 | HUF75645S3STCT-ND | Fr. 3.18000 | Simile |
| HUFA75645S3S | onsemi | 1’296 | HUFA75645S3SCT-ND | Fr. 4.34000 | Simile |
| IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | 4’632 | 448-IPB70N10S3L12ATMA1CT-ND | Fr. 2.84000 | Simile |
Obsoleto
