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AOTF12N60 | |
|---|---|
Codice DigiKey | AOTF12N60-ND |
Produttore | |
Codice produttore | AOTF12N60 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 12 A (Tc) 50W (Tc) Foro passante TO-220F |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 50 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2100 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220F |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 550mohm a 6A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (26)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCPF600N60Z | onsemi | 624 | FCPF600N60Z-ND | Fr. 2.52000 | Simile |
| R6007ENX | Rohm Semiconductor | 490 | R6007ENX-ND | Fr. 2.65000 | Simile |
| R6009ENX | Rohm Semiconductor | 183 | R6009ENX-ND | Fr. 3.52000 | Simile |
| R6009KNX | Rohm Semiconductor | 76 | R6009KNX-ND | Fr. 2.27000 | Simile |
| SIHF7N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHF7N60E-E3-ND | Fr. 2.60000 | Simile |
Disponibile su ordinazione
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 0.71500 | Fr. 715.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.71500 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.77292 |
