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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
DMG8880LK3-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | DMG8880LK3-13-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMG8880LK3-13 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11A TO252 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 11 A (Ta) 1,68W (Ta) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 7,5mohm a 11,6A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 27.6 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1289 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,68W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252 (DPAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Manufacturer Quote Required
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