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IPB60R190P6ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
IPB60R190P6ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB60R190P6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB60R190P6ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 630µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 37 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1750 pF @ 100 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 151W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 7,6A, 10V |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | 2’045 | IPB60R180P7ATMA1CT-ND | Fr. 2.43000 | Simile |
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| SIHB23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 44 | SIHB23N60E-GE3-ND | Fr. 4.05000 | Simile |
Obsoleto
