IPB60R190P6ATMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IPB60R190P6ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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IPB60R190P6ATMA1
Codice DigiKey	IPB60R190P6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB60R190P6ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	20,2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	190mohm a 7,6A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 630µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1750 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	151W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IPB60R