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IPB65R110CFDATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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IPB65R110CFDATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB65R110CFDATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB65R110CFDATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB65R110CFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB65R110CFDATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 1,3mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 118 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3240 pF @ 100 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 277,8W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 110mohm a 12,7 A, 10V |
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Sostituti (10)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R110CFDATMA2 | Infineon Technologies | 1’219 | 448-IPB65R110CFDATMA2CT-ND | Fr. 5.07000 | Equivalente parametrico |
| FCB110N65F | onsemi | 1’451 | FCB110N65FCT-ND | Fr. 6.48000 | Simile |
| SIHB33N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB33N60ET5-GE3-ND | Fr. 2.14225 | Simile |
| STB28N60M2 | STMicroelectronics | 1’905 | 497-14972-1-ND | Fr. 2.18000 | Simile |
| STB30N65M5 | STMicroelectronics | 1’043 | 497-10563-1-ND | Fr. 5.81000 | Simile |
Obsoleto
