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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
IRF7341PBF | |
|---|---|
Codice DigiKey | IRF7341PBF-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IRF7341PBF |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 55V 4,7A 2W A montaggio superficiale 8-SO |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IRF7341PBF Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Fuori produzione presso Digi-Key | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 55V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4,7A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 50mohm a 4,7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 36nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 740pF a 25V | |
Potenza - Max | 2W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SO | |
Codice componente base |
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