10 Power-WHITFN-10-1
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10 Power-WHITFN-10-1
10 Power-WHITFN-10-1

ISG0614N06NM5HSCATMA1

Codice DigiKey
448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-ISG0614N06NM5HSCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-ISG0614N06NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
ISG0614N06NM5HSCATMA1
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHITFN-10-1
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
ISG0614N06NM5HSCATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
31A (Ta), 233A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
1,6mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,3V a 86µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
102nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6400pF a 30V
Potenza - Max
3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
10-PowerWDFN
Contenitore del fornitore
PG-WHITFN-10-1
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In magazzino: 2’791
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 4.22000Fr. 4.22
10Fr. 2.80700Fr. 28.07
100Fr. 2.00690Fr. 200.69
500Fr. 1.92534Fr. 962.67
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 1.57300Fr. 4’719.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 4.22000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 4.56182