FDB8132_F085 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDB8132_F085 è obsoleto e non è più in produzione.

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Nexperia USA Inc.

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Prezzo unitario : Fr. 1.62960

Simile

Renesas Electronics Corporation

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Nexperia USA Inc.

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Prezzo unitario : Fr. 5.45000

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FDB8132_F085
Codice DigiKey	FDB8132_F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB8132_F085
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 80 A (Tc) 341W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,6mohm a 80A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	350 nC @ 13 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	14100 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	341W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	FDB813