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BUK7626-100B,118
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BUK761R6-40E,118

Codice DigiKey
1727-7133-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Nexperia USA Inc.
Codice produttore
BUK761R6-40E,118
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 120 A (Tc) 349W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
BUK761R6-40E,118 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Nexperia USA Inc.
Serie
TrenchMOS™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,6mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
11340 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
349W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
BUK761
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
4’800Fr. 1.62960Fr. 7’822.08
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.62960
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.76160