FDMC7692S onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDMC7692S
Codice DigiKey	FDMC7692STR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMC7692SCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMC7692SDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMC7692S
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 12,5 A (Ta), 18 A (Tc) 2,3W (Ta), 27W (Tc) A montaggio superficiale 8-MLP (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 1mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®, SyncFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1385 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,3W (Ta), 27W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-MLP (3,3x3,3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12,5 A (Ta), 18 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDMC7692
RDSon (max) a Id, Vgs 9,3mohm a 12,5A, 10V

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Sostituti (8)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSZ100N03MSGATMA1	Infineon Technologies	19	BSZ100N03MSGATMA1CT-ND	Fr. 0.79000	Simile
BSZ130N03LSGATMA1	Infineon Technologies	25’755	BSZ130N03LSGATMA1CT-ND	Fr. 0.76000	Simile
BSZ130N03MSGATMA1	Infineon Technologies	1’188	BSZ130N03MSGATMA1CT-ND	Fr. 0.86000	Simile
CSD17308Q3	Texas Instruments	6’742	296-27210-1-ND	Fr. 1.12000	Simile
CSD17579Q3A	Texas Instruments	0	296-39998-1-ND	Fr. 0.72000	Simile

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FDMC7692S