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R5013ANJTL

Codice DigiKey
R5013ANJTL-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
R5013ANJTL
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 13A LPTS
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 13 A (Ta) 100W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
380mohm a 6,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
LPTS
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 1.49500Fr. 1’495.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.49500
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.61610