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Canale N 600 V 15 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
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Canale N 600 V 15 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6015ENJTL

Codice DigiKey
R6015ENJTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
R6015ENJTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
R6015ENJTLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
R6015ENJTL
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 15 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6015ENJTL Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
40 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
910 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
LPTS
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
290mohm a 6,5A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IPB60R280C6ATMA1Infineon Technologies0IPB60R280C6ATMA1TR-NDFr. 0.00000Simile
IXFA18N60XIXYS0IXFA18N60X-NDFr. 3.68253Simile
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STB25N80K5STMicroelectronics1’037497-13640-1-NDFr. 4.89000Simile
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 1.40086Fr. 1’400.86
2’000Fr. 1.40026Fr. 2’800.52
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.40086
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.51433