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R6015ENJTL | |
|---|---|
Codice DigiKey | R6015ENJTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) R6015ENJTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) R6015ENJTLDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | R6015ENJTL |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 15A LPTS |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 15 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale LPTS |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | R6015ENJTL Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 910 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore LPTS |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 290mohm a 6,5A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R280C6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB60R280C6ATMA1TR-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| IXFA18N60X | IXYS | 0 | IXFA18N60X-ND | Fr. 3.68253 | Simile |
| IXTA20N65X | IXYS | 0 | IXTA20N65X-ND | Fr. 5.52000 | Simile |
| STB18N65M5 | STMicroelectronics | 770 | 497-13083-1-ND | Fr. 3.04000 | Simile |
| STB25N80K5 | STMicroelectronics | 1’037 | 497-13640-1-ND | Fr. 4.89000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.40086 | Fr. 1’400.86 |
| 2’000 | Fr. 1.40026 | Fr. 2’800.52 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.40086 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.51433 |





