Consigliato dal produttore
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IXTA20N65X | |
|---|---|
Codice DigiKey | IXTA20N65X-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXTA20N65X |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20A TO263 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 20 A (Tc) 320W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1390 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 320W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-263AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 210mohm a 10A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA20N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXTA20N65X2-ND | Fr. 3.23523 | Consigliato dal produttore |
| FCB260N65S3 | onsemi | 1’060 | 488-FCB260N65S3CT-ND | Fr. 3.73000 | Simile |
| IPB60R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | 6’167 | IPB60R280P7ATMA1CT-ND | Fr. 2.03000 | Simile |
| R6015ENJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6015ENJTLCT-ND | Fr. 1.40086 | Simile |
| R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | 3’807 | R6015KNJTLCT-ND | Fr. 2.98000 | Simile |








