Name: SGT120R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SGT120R65ALTR-ND
Price: 6.43195 USD
Availability: OutOfStock

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SGT120R65AL
Codice DigiKey	497-SGT120R65ALTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-SGT120R65ALCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-SGT120R65ALDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	SGT120R65AL
Descrizione	650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 15 A (Tc) 192W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (5x6) HV
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SGT120R65AL Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	15 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V
RDSon (max) a Id, Vgs	120mohm a 5A, 6V
Vgs(th) max a Id	2,6V a 12mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3 nC @ 6 V
Vgs (max)	+6V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	125 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	192W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerFlat™ (5x6) HV
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	SGT120