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Canale N 600 V 20 A (Tc) 192W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB20NM60T4

Codice DigiKey
497-5384-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STB20NM60T4
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 20 A (Tc) 192W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STB20NM60T4 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
290mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
192W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
STB20
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 1.43714Fr. 1’437.14
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.43714
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.55355