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STB20NM60T4 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-5384-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | STB20NM60T4 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 20 A (Tc) 192W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STB20NM60T4 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 54 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1500 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 192W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore D2PAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 290mohm a 10A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| AOB15S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1261-2-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| FCB20N60FTM | onsemi | 1’795 | FCB20N60FTMCT-ND | Fr. 5.47000 | Simile |
| FCB20N60TM | onsemi | 782 | FCB20N60TMCT-ND | Fr. 5.52000 | Simile |
| IPB60R299CPAATMA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPB60R299CPAATMA1CT-ND | Fr. 3.23000 | Simile |
| IXFA18N60X | IXYS | 0 | IXFA18N60X-ND | Fr. 3.68253 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.75702 | Fr. 1’757.02 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.75702 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.89934 |






