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Canale N 600 V 20 A (Tc) 192W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
Canale N 600 V 20 A (Tc) 192W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB20NM60T4

Codice DigiKey
497-5384-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
STB20NM60T4
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 20 A (Tc) 192W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STB20NM60T4 Modelli
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
54 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±30V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1500 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
192W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Contenitore del fornitore
D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
290mohm a 10A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (8)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AOB15S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1261-2-NDFr. 0.00000Simile
FCB20N60FTMonsemi1’795FCB20N60FTMCT-NDFr. 5.47000Simile
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 1.75702Fr. 1’757.02
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.75702
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.89934