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AOB15S60L | |
|---|---|
Codice DigiKey | 785-1261-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AOB15S60L |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 15A TO263 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 15 A (Tc) 208W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,8V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 15.6 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 717 pF @ 100 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 290mohm a 7,5A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | 3’807 | R6015KNJTLCT-ND | Fr. 2.98000 | Simile |
| SIHB15N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB15N65E-GE3-ND | Fr. 1.54756 | Simile |
| STB18N60M2 | STMicroelectronics | 605 | 497-13933-1-ND | Fr. 2.53000 | Simile |
| STB18N65M5 | STMicroelectronics | 770 | 497-13083-1-ND | Fr. 3.04000 | Simile |
| STB20NM60T4 | STMicroelectronics | 0 | 497-5384-2-ND | Fr. 1.75702 | Simile |






