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AOT25S65L | |
|---|---|
Codice DigiKey | 785-1514-5-ND |
Produttore | |
Codice produttore | AOT25S65L |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 25A TO220 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 25 A (Tc) 357W (Tc) Foro passante TO-220 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 26.4 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1278 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 357W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-220 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 12,5A, 10V |
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Sostituti (19)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP150N65F | onsemi | 776 | FCP150N65FOS-ND | Fr. 4.99000 | Simile |
| FCP165N60E | onsemi | 1’034 | FCP165N60E-ND | Fr. 4.05000 | Simile |
| FCP190N60E | onsemi | 1’429 | FCP190N60EOS-ND | Fr. 3.96000 | Simile |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | Fr. 4.35000 | Simile |
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | 257 | 448-IPP60R165CPXKSA1-ND | Fr. 4.57000 | Simile |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 2.04182 | Fr. 2’041.82 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.04182 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.20721 |
