
SISS71DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISS71DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS71DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS71DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS71DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S |
Tempi di consegna standard del produttore | 42 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 100 V 23 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS71DN-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 4.5 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1050 pF @ 50 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 57W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 59mohm a 5A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.37000 | Fr. 1.37 |
| 10 | Fr. 0.86800 | Fr. 8.68 |
| 100 | Fr. 0.57990 | Fr. 57.99 |
| 500 | Fr. 0.45652 | Fr. 228.26 |
| 1’000 | Fr. 0.41683 | Fr. 416.83 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.36642 | Fr. 1’099.26 |
| 6’000 | Fr. 0.34106 | Fr. 2’046.36 |
| 9’000 | Fr. 0.32814 | Fr. 2’953.26 |
| 15’000 | Fr. 0.31363 | Fr. 4’704.45 |
| 21’000 | Fr. 0.31160 | Fr. 6’543.60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.37000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.48097 |










