Array FET, MOSFET

Visualizzati

di 5’754

Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tecnologia	Configurazione	Funzione FET	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	2’039 In magazzino	1 : Fr. 0.17000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.03223 Nastrato in bobina (TR)	U-MOSVII-H	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	300mA	1,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0,6nC a 4,5V	40pF a 10V	285mW	150°C	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	12 In magazzino	1 : Fr. 0.22000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.04546 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	295mA	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,9nC a 4,5V	26pF a 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	43’299 In magazzino	1 : Fr. 0.22000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.04467 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	300mA (Ta)	1,6ohm a 500mA, 10V	2,1V a 250µA	0,6nC a 4,5V	50pF a 10V	295mW	150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002PS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	14’485 In magazzino	1 : Fr. 0.23000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.04731 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	320mA	1,6ohm a 500mA, 10V	2,4V a 250µA	0,8nC a 4,5V	50pF a 10V	420mW	150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q100	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	1’702 In magazzino	1 : Fr. 0.23000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.04745 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	230mA	7,5ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
2N7002HSX MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	6’614 In magazzino	1 : Fr. 0.24000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.04980 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	-	2 canali N (doppio)	-	60V	320mA (Ta)	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,5nC a 4,5V	34pF a 10V	420mW	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	54’514 In magazzino	1 : Fr. 0.25000 Nastro pre-tagliato (CT) 4’000 : Fr. 0.04957 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mohm a 800mA, 4,5V, 390mohm a 800mA, 4,5V	1V a 1mA	1nC a 10V	55pF a 10V, 100pF a 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	ES6
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	119’992 In magazzino	1 : Fr. 0.26000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05367 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	300mA	3ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,6nC a 10V	20pF a 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
NX3008PBKS,115 MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	1’821 In magazzino	1 : Fr. 0.27000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05558 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	30V	200mA	4,1ohm a 200m A, 4,5V	1,1V a 250µA	0,75nC a 4,5V	46pF a 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
DMC2700UDM-7 MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Diodes Incorporated	918’254 In magazzino 2’139’000 Fabbrica	1 : Fr. 0.28000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05886 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	1,34 A, 1,14 A	400mohm a 600mA, 4,5V	1V a 250µA	0,74nC a 4,5V	60,67pF a 16V	1,12W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-26
DMC2400UV-13 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Diodes Incorporated	4’252 In magazzino	1 : Fr. 0.28000 Nastro pre-tagliato (CT) 10’000 : Fr. 0.04747 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	-	20V	1,03A, 700 mA	480mohm a 200mA, 5V	900mV a 250µA	0,5nC a 4,5V	37,1pF a 10V	450mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NX3008CBKS,115 MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	3’747 In magazzino	1 : Fr. 0.28000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.05848 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	350mA, 200mA	1,4ohm a 350m A, 4,5V	1,1V a 250µA	0,68nC a 4,5V	50pF a 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BSD223PH6327XTSA1 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Infineon Technologies	102’227 In magazzino	1 : Fr. 0.29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06160 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	20V	390mA	1,2ohm a 390mA, 4,5V	1,2V a 1,5µA	0,62nC a 4,5V	56pF a 15V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-6-1
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	1’265 In magazzino	1 : Fr. 0.30000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06274 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	1,07A, 845mA	450mohm a 600mA, 4,5V	1V a 250µA	0,74nC a 4,5V	60,67pF a 10V	330mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
NX3008NBKS,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	232’798 In magazzino	1 : Fr. 0.31000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06641 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	30V	350mA	1,4ohm a 350m A, 4,5V	1,1V a 250µA	0,68nC a 4,5V	50pF a 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	175’762 In magazzino	1 : Fr. 0.31000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06542 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	880mA	400mohm a 880mA, 2,5V	750mV a 1,6µA	0,26nC a 2,5V	78pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	567’897 In magazzino	1 : Fr. 0.31000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06835 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 1,2V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	1V a 1mA	-	25pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	194’540 In magazzino	1 : Fr. 0.32000 Nastro pre-tagliato (CT) 8’000 : Fr. 0.06054 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	EMT6
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	160’139 In magazzino	1 : Fr. 0.32000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06956 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
NVJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	29’794 In magazzino Questo prodotto ha un limite massimo di acquisto	1 : Fr. 0.32000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06956 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	295mA	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,9nC a 4,5V	26pF a 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	24’115 In magazzino	1 : Fr. 0.32000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06817 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mohm a 3,1 A, 10V	2,3V a 250µA	13nC a 10V	400pF a 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
NX3020NAKV,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 Nexperia USA Inc.	232’763 In magazzino	1 : Fr. 0.33000 Nastro pre-tagliato (CT) 4’000 : Fr. 0.06761 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	30V	200mA	4,5ohm a 100mA, 10V	1,5V a 250µA	0,44nC a 4,5V	13pF a 10V	375mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 onsemi	88’051 In magazzino Questo prodotto ha un limite massimo di acquisto	1 : Fr. 0.33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07052 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	-	8V	1,3A	175mohm a 1,2A, 4,5V	1V a 250µA	-	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	19’966 In magazzino	1 : Fr. 0.33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.06899 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	3,8 A, 2,5 A	55mohm a 3,4A, 10V	1,5V a 250µA	12,3nC a 10V	422pF a 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
BSD235NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Infineon Technologies	13’313 In magazzino	1 : Fr. 0.33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07113 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™ 2	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	950mA	350mohm a 950mA, 4,5V	1,2V a 1,6µA	0,32nC a 4,5V	63pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO

Visualizzati

di 5’754

I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.

Array FET, MOSFET

Array FET, MOSFET

INFORMAZIONI

GUIDA

CONTATTI

SEGUICI