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SiC-Leistungs-MOSFETs
Die SiC-MOSFETs von ROHM zeichnen sich durch einen geringen Betriebswiderstand und einen geringen Schaltverlust aus
Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs von ROHM sind für verschiedene Stromstärken und in verschiedenen Gehäusen erhältlich. Sie sind in einer Vielzahl von Betriebswiderständen und Nennspannungen (VDSS) von 650 V, 1200 V oder 1700 V erhältlich. Im Gegensatz zu IGBTs gibt es beim Abschalten keinen Endstrom, was zu einem schnelleren Betrieb und reduzierten Schaltverlust führt. Im Gegensatz zu Siliziumbauteilen bleibt der Betriebswiderstand auch bei hohen Temperaturen relativ konstant, wodurch Leitungsverluste minimiert werden. Es werden sowohl planare Optionen der 2. Generation mit maximaler Kurzschlussfestigkeit als auch Trench-Optionen der 3. Generation mit reduzierter Eingangskapazität und Modelle mit niedrigeren Gateladungen angeboten. Desweiteren sind blanke Matrizen bis 1700 V erhältlich.
- Schnelles Schalten mit geringem Verlust
- Maximale Sperrschichttemperatur: +175 °C
- Komponenten im Gehäuse mit Nennspannungen von 650 V, 1200 V oder 1700 V
- Betriebswiderstand von 17 mΩ bis zu 1150 mΩ
- SPICE-Modell und Wärmemodell erhältlich
- Planare Technologie der 2. Generation mit längerer Kurzschlussfestigkeit
- Keine Einschränkungen bei der Verwendung der Körperdiode
- Grabentechnologie (Trench) der dritten Generation mit niedriger Eingangskapazität (CISS ) und niedriger Gate-Ladung (QG )
- DC-Sperrspannung: 650 V, 1200 V oder 1700 V
- Minimale Schaltverluste
- Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +175 °C
- Inverter für Induktionsheizung
- Inverter für Motorantriebe
- Bidirektionale Wandler
- Solar-Wechselrichter
- Leistungskonditionierer
3rd Generation TO-247-4L Package with Kelvin Source Connection
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SCT3040KRC14 | SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L | 801 - Sofort | $34.71 | Details anzeigen |
| | SCT3080KRC14 | SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L | 130 - Sofort | $14.22 | Details anzeigen |
| | SCT3105KRC14 | SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L | 102 - Sofort | $17.14 | Details anzeigen |
| | SCT3030ARC14 | SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L | 123 - Sofort | $38.48 | Details anzeigen |
| | SCT3060ARC14 | SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L | 334 - Sofort | $17.29 | Details anzeigen |
| | SCT3080ARC14 | SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L | 249 - Sofort | $16.18 | Details anzeigen |
SiC Power MOSFETs Single
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | SCH2080KEC | SICFET N-CH 1200V 40A TO247 | 0 - Sofort | See Page for Pricing | Details anzeigen |
| | SCT2080KEC | SICFET N-CH 1200V 40A TO247 | 0 - Sofort | $11.69 | Details anzeigen |
| | SCT2160KEC | SICFET N-CH 1200V 22A TO247 | 0 - Sofort | $6.62 | Details anzeigen |
|  | BSM180C12P2E202 | SICFET N-CH 1200V 204A MODULE | 0 - Sofort | $489.34 | Details anzeigen |
|  | SCT2750NYTB | SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268 | 0 - Sofort | $2.80 | Details anzeigen |
SiC Power MOSFETs Arrays
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | BSM080D12P2C008 | MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE | 0 - Sofort | $254.99 | Details anzeigen |
| | BSM120D12P2C005 | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 2 - Sofort | $294.22 | Details anzeigen |
| | BSM180D12P2C101 | MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE | 1 - Sofort | $357.44 | Details anzeigen |
|  | BSM180D12P3C007 | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | 13 - Sofort | $450.61 | Details anzeigen |
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