Rohm Semiconductor's SiC Trench MOSFETs

SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor

The purpose of this training module is to provide a brief overview of ROHM’s 3rd generation SiC Trench MOSFETs and their advantages.

Part List

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungDrain-Source-Spannung (Vdss)Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFMSCT2H12NZGC11SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM1700 V0 - Sofort$6.72Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 21A TO247NSCT3120ALGC11SICFET N-CH 650V 21A TO247N650 V282 - Sofort$6.72Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 39A TO247NSCT3060ALGC11SICFET N-CH 650V 39A TO247N650 V90 - Sofort$11.81Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 22A TO247SCT2160KECSICFET N-CH 1200V 22A TO2471200 V0 - Sofort$6.50Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 31A TO247NSCT3080KLGC11SICFET N-CH 1200V 31A TO247N1200 V450 - Sofort$17.31Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCT2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2471200 V0 - Sofort$11.47Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 70A TO247NSCT3030ALGC11SICFET N-CH 650V 70A TO247N650 V880 - Sofort$22.25Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 55A TO247NSCT3040KLGC11SICFET N-CH 1200V 55A TO247N1200 V387 - Sofort$29.81Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCH2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2471200 V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
SICFET N-CH 650V 93A TO247NSCT3022ALGC11SICFET N-CH 650V 93A TO247N650 V200 - Sofort$37.45Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 72A TO247NSCT3030KLGC11SICFET N-CH 1200V 72A TO247N1200 V253 - Sofort$54.13Details anzeigen
SICFET N-CH 1700V 4A TO268SCT2H12NYTBSICFET N-CH 1700V 4A TO2681700 V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268SCT2750NYTBSICFET N-CH 1700V 5.9A TO2681700 V0 - Sofort$2.74Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 14A TO247SCT2280KECSICFET N-CH 1200V 14A TO2471200 V0 - Sofort$4.13Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 29A TO220ABSCT2120AFCSICFET N-CH 650V 29A TO220AB650 V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
SICFET N-CH 1200V 204A MODULEBSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE1200 V0 - Sofort$518.00Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 17A TO247NSCT3160KLGC11SICFET N-CH 1200V 17A TO247N1200 V0 - Sofort$7.10Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 10A TO247SCT2450KECSICFET N-CH 1200V 10A TO2471200 V0 - Sofort$3.27Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 400A MODULEBSM400C12P3G202SICFET N-CH 1200V 400A MODULE1200 V4 - Sofort$663.42Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 600A MODULEBSM600C12P3G201SICFET N-CH 1200V 600A MODULE1200 V0 - Sofort$942.00Details anzeigen
PTM Veröffentlicht am:
PTM Updated on: 2019-09-27

Related Videos

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Datum der Veröffentlichung: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Datum der Veröffentlichung: 2023-02-06

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Datum der Veröffentlichung: 2023-02-06

Related Product Highlight

SiC-MOSFETs SCT der 4. Generation Die Siliziumkarbid-MOSFETs der 4. Generation von ROHM wurden entwickelt, um in anspruchsvollen Anwendungen eine überlegene Effizienz und Performance zu erzielen.
Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.
SiC-Schottky-Sperrschichtdioden ROHMs SiC-Schottky-Sperrschichtdioden sind AEC-Q101-konform für den Einsatz in der Automobiltechnik.

Related Articles and Blogs

Verringerung von Verlusten, Verbesserung des Wirkungsgrads und Erweiterung des Temperaturbereichs bei Anwendungen mit hoher Leistung SiC-MOSFETs der 4. Generation können eingesetzt werden, um den Wirkungsgrad erheblich zu verbessern, die Kosten zu senken und die Größe von Hochspannungs- und Hochleistungs-Steuerschaltungen zu reduzieren.
Halbleiter mit großer Bandlücke gestalten das Transportwesen neu Der gesamte Verkehrssektor befindet sich in einem radikalen Umbruch mit Lösungen für Elektro- und Hybridautos und einen saubereren Massentransport.
Halbleiter mit großer Bandlücke in Luft- und Raumfahrt- sowie Satellitenanwendungen Halbleiter mit großer Bandlücke bieten mehrere Vorteile bei der Leistungswandlung, z. B. eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowie eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
SiC Power Module SiC modules are ideally suited to replace higher current rating IGBT modules.